半导体薄膜与纳米材料研究组

吕建国 副研究员

2007.12—今:浙江大学硅材料国家重点实验室 副研究员
2005.11-2007.11:日本京都大学 JSPS外国人特别研究员(博士后)
2005.07-2005.11:浙江大学硅材料国家重点实验室 助理研究员
2000.09-2005.06:浙江大学材料物理与化学专业 工学博士学位
1996.09-2000.07:西安理工大学材料学专业 工学学士学位

获得浙江大学优秀青年教师资助计划(紫金计划)重点资助,现主持教育部博士学科点新教师基金1项、航天支撑技术基金项目1项,作为第一参与者参加国家自然科学基金面上项目1项;主持完成了日本JSPS外国科研项目1项。作为主要参加者,获得国家自然科学奖二等奖1项(排名第三),浙江省科学技术奖一等奖2项。博士学位论文《ZnO半导体光电材料的制备及其性能的研究》获2008年全国百篇优秀博士学位论文提名论文奖。拥有授权国家发明专利5项、实用新型专利2项。作为第2作者,出版专业著作2本。在国内外期刊上发表重要SCI/EI学术论文50余篇,其中Applied Physics Letters论文20篇(第一作者9篇);论文SCI他引500余次,单篇最高SCI他引45次。参加会议10次,其中国际会议7次。

研究领域:
半导体材料与器件,纳米材料及应用。(1)ZnO薄膜与器件:ZnO及其合金薄膜,ZnO掺杂改性,ZnO基LED、ZnO薄膜晶体管、ZnO紫外探测器等光电器件和电子器件研究;(2)ZnO纳米材料:ZnO纳米材料生长,ZnO纳米器件研究;(3)氧化物半导体材料:宽带氧化物半导体材料和相关器件研究;(4)半导体薄膜生长技术,纳米材料制备工艺。

论文选列:

  1. Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. L. Chen, and B. H. Zhao, Identification of acceptor states in Li-N dual-doped p-type ZnO thin films, Chin. Phys. Lett. 26, 046103 (2009).
  2. J. G. Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and Y.Kamada, Junction properties of nitrogen-doped ZnO thin films, Phys. Stat. Sol (c) 5, 3088-3090 (2008).
  3. J. G. Lu, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, J. Y. Huang, and L. Wang, Rational synthesis and tunable optical properties of quasi-aligned Zn1–xMgxO nanorods, Appl. Phys. Lett. 91, 193108 (2007). 
  4. J. G. Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, Y. Z. Zhang, L. P. Zhu, H. P. He, and B. H. Zhao, Carrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO:Al films, J. Appl. Phys. 101, 083705 (2007). 
  5. J. G. Lu, S. Fujita, T. T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, and T. Ohshima, Carrier concentration induced band-gap shift in Al-doped Zn1–xMgxO thin films, Appl. Phys. Lett. 89, 262107 (2006). 
  6. J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. Z. Zhang, Q. L. Liang, S. Fujita, and Z. L. Wang, Self-assembled ZnO quantum dots with tunable optical properties, Appl. Phys. Lett. 89, 023122 (2006).
  7. J. G. Lu, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, L. Wang, B. H. Zhao, and Q. L. Liang, Low-resistivity, stable p-type ZnO thin films realized using a Li-N dual-acceptor doping method, Appl. Phys. Lett. 88, 222114 (2006).
  8. J. G. Lu, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, F. Zhuge, B. H. Zhao, and D. W. Ma, Improved N-Al codoped p-type ZnO thin films by introduction of a homo-buffer layer, J. Cryst. Growth 274, 425-429 (2005).
  9. J. G. Lu, Z. Z. Ye, F. Zhuge, Y. J. Zeng, B. H. Zhao, and L. P. Zhu, p-type conduction in N-Al co-doped ZnO thin films, Appl. Phys. Lett. 85, 3134-3135 (2004).
  10. J. G. Lu, Z. Z. Ye, J. Y. Huang, L. Wang, and B. H. Zhao, Synthesis and properties of ZnO films with (100) orientation by SS-CVD, Appl. Surf. Sci. 207, 295-299 (2003).

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