半导体薄膜与纳米材料研究组

黄靖云 教授

博士,教授。主要研究方向:半导体ZnO p型掺杂及LED、LD发光研究;纳米结构新材料及其应用研究。国内外核心期刊上发表论文100余篇,其中SCI收录论文80多篇,EI收录论文40余篇;拥有国家授权发明专利17项,实用新型专利9项。获得国家自然科学二等奖1项,浙江省科学技术奖(自然类)一等奖2项,浙江省科学技术奖(发明类)二等奖1项,教育部自然科学奖二等奖1项,教育部科技进步二等奖1项。

1995年开始参与国内首台超高真空化学气相沉积设备的建设,发展生长工艺,利用该技术进行硅、锗硅等薄膜新材料的生长及其器件研制,完成“973”子课题和国家自然科学基金重点项目子课题等多项项目。半导体薄膜材料与器件基础研究的创新成果,以第三完成人2006年获教育部自然科学二等奖;高真空CVD设备研制、生长工艺开发及应用研究,以第二完成人2007年获教育部科技进步二等奖。2001年开始半导体ZnO薄膜材料的生长及p型掺杂研究,首次研究了氨气为源ZnOp型掺杂中H的钝化作用,是“ZnO材料生长、p型掺杂及室温电致发光”第一发现点的重要内容,该成果以第五完成人获浙江省科学技术奖自然一等奖,于2007年获国家自然科学二等奖。

首次提出以蝴蝶翅膀为生物模板制备光子晶体,获得一种制备光子晶体的新方法,该成果以第一作者发表在国际纳米领域权威期刊Nano Letters, 6:10 (2006)2325上(影响因子9.96)。目前作为负责人承担国家自然科学基金面上项目、“973”子课题、浙江省钱江人才B(科研类)和D(人才类)等项目。

个人简历:
1986. 9—1990. 6吉林大学物理系;
1990. 7—1994. 6 河南柴油机厂科技检测处分析测试工作;
1994. 9—1997. 6 浙江大学硅材料国家重点实验室硕士研究生;
1997. 9—2000. 6 浙江大学硅材料国家重点实验室博士研究生;
2000. 6—2001.11 浙江大学硅材料国家重点实验室讲师;
2001.12— 浙江大学硅材料国家重点实验室,破格晋升副教授;
2003.11—2004.2 新加坡国立大学访问研究;
2004.11—2005.12 哈佛大学Lieber教授课题组访问学者;
2005.12-2006.12 乔治亚理工学院王中林教授课题组访问学者;
2009.12— 浙江大学材料科学与工程学系教授

代表性论文

  • JY Huang, XD Wang, ZL Wang, 2006, Controlled replication of butterfly wings for achieving tunable photonic properties, Nano Letters, 6, 2325. (IF 9.816)

  • JY Huang, XD Wang, ZL Wang, 2008, Bio-inspired fabrication of antireflection nanostructures by replicating fly eyes, Nanotechnology 19, 025602. (IF 3.3037)

  • J. Huang, S. Liu, Y. Wang, Z. Ye, 2008, Fabrication of ZnO/Al2O3 core-shell nanostructures and crystalline Al2O3 nanotube, Applied Surface Science, doi:10.1016/j.apsusc.2008.03.150. (IF 1.316)

  • JY Huang, HM Lu, ZZ Ye, L Wang, BH Zhao, HP He, 2007, Microstructure and defect study of the as-grown and annealed ZnO/Si thin films by high resolution TEM, Journal of Applied Physics, 102, 053521. (IF2.316)

  • JY Huang, ZZ Ye, HM Lu, L Wang, BH Zhao, X Li, 2007, Microstructure study of ZnO thin films on Si substrate grown by MOCVD, J. Physics D: Appl. Phys, 40, 4882. (IF2.077)

  • L Chen JY Huang, ZZ Ye HP He, ZJ Zeng, SJ Wang, HZ Wu,2008, Controllable synthesis of ordered ZnO nanodots Arrays by nanosphere lithography, Crystal Growth & Design 8,2917.(IF 4.046)