半导体薄膜与纳米材料研究组

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浙江大学叶志镇课题组p型ZnO研究进展

本课题组长期从事ZnO薄膜相关研究,制备方法涉及磁控溅射、PLD和MOCVD方法。在P型ZnO研究方面,课题组前期利用磁控溅射方法研究了Al-N的掺杂行为。近年来,课题组一方面利用PLD研究Li/Na元素的掺杂行为,一方面利用MOCVD方法研究N元素的掺杂行为。实验结果由浙江大学硅材料国家重点实验室的国际主流测试设备以及国内其它权威测试机构(天津信息产业部专用材料质量监督检测中心等)相关设备提供。

在前期研究的基础上,目前本课题组利用PLD方法制备的ZnO:Na薄膜载流子类型为P型(空穴导电),载流子浓度能够达到1017/cm3,近期实验研究表明能够达到1018/cm3;本课题组利用MOCVD方法制备的ZnO:N薄膜载流子类型为P型(空穴导电),载流子浓度能够达到1017/cm3

                  1     HALL 测试结果

测试时间

测试单位

样品
数目

载流子类型

载流子浓度

备注

200610-12

浙江大学 硅材料国家重点实验室

3

P

np=3.32×1017/cm3

空穴浓度标注为: +N

 

附件1

p

np=2.14×1017/cm3

P

np=1.57×1017/cm3

2007

7

中科院上海微系统与信息技术研究所

3

P

np=1.331×1017/cm3

空穴浓度标注为: +N

 

附件2

P

np=1.257×1017/cm3

P

np=1.065×1017/cm3

2009

4

天津信息产业部专用材料质量监督检测中心

4

P

np=2.86×1017/cm3

CMA国家法定计量检测单位

                             附件3

P

np=9.17×1017/cm3

P

np=1.41×1018/cm3

P

np=2.38×1018/cm3

2009

5

天津信息产业部专用材料质量监督检测中心

6

P

np=7.71×1016/cm3

CMA国家法定计量检测单位

 

附件4

P

np=9.31×1016/cm3

P

np=6.41×1017/cm3

P

np=3.39×1017/cm3

P

np=1.68×1018/cm3

P

np=1.26×1017/cm3

2009

6

天津信息产业部专用材料质量监督检测中心

5

P

np=6.85×1016/cm3

CMA国家法定计量检测单位

 

附件5

P

np=2.29×1017/cm3

P

np=1.15×1018/cm3

P

np=1.76×1018/cm3

P

np=1.28×1019/cm3